中频炉-可控硅中频装置的保护措施

中频炉可控硅元件在系统工作中有很多性能优点，但过载能力差。由于短时间过压、过流可能会导致元件损坏，系统应根据工作特性采取可靠的保护措施。

中频炉可控硅中频装置与一般采用可控硅装置相同，必须采取通常的保护措施。也就是说，利用容量吸收装置和硒堆来抑制变压器的泄漏感，使寄生电容器和线路电感器操作时产生的浪涌电压，将电感线圈、快速保险丝等部件连接到一定的回路中，限制可控硅的电流变化率，进行瞬时的过凌保护。此外，还应根据中频炉可控硅中频装置本身的特点考虑以下因素，设计相应的保护线路

1)由于换流失败，整流输出端直通(短路)。

2)由于反馈信号异常或逆变桥中的快速保险丝原谅，逆变端过压。

3)误操作负荷变化引起的过压、过流。

以下是中频炉为了防止上述故障损坏零件而设计的一些保护线路。